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DMN2009USS-13

商品型号： DMN2009USS-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SO-8

商品毛重： 0.11g

商品编号： CY000641

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道

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DMN2009USS-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN2009USS-13价格参考￥4.327600。DIODES(美台)DMN2009USS-13封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道

手机版：DMN2009USS-13