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P6010DDG

商品型号: P6010DDG

制造厂商: 3PEAK

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.47g

商品编号: CY001449

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥1.44

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 20A
最大功率耗散(Ta=25°C) 50W
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:P沟道

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P6010DDG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,P6010DDG价格参考¥1.442400。3PEAKP6010DDG封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:P沟道

手机版:P6010DDG