商品型号： BML6402
制造厂商： BORN伯恩半导体
封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY149409
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3.7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：P沟道 MOSFET,P-channel 20/12V 3.7A VGS(th)=1V 50mΩ@3.7A&4.5V,SOT-23
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.1W | |
| 类型 | P沟道 |
BML6402由BORN伯恩半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,BML6402价格参考￥6.509400。BORN伯恩半导体BML6402封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3.7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：P沟道 MOSFET,P-channel 20/12V 3.7A VGS(th)=1V 50mΩ@3.7A&4.5V,SOT-23
手机版：BML6402
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