商品型号： RTR025N03TL
制造厂商： ROHM(罗姆)
封装规格： TSMT-3
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY554319
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 1mA 漏源导通电阻：92mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道,30V,2.5A,92mΩ@4.5V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.5A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | |
| 类型 | N沟道 |
RTR025N03TL由ROHM(罗姆)设计生产,在芯云购商城现货销售,RTR025N03TL价格参考￥8.015600。ROHM(罗姆)RTR025N03TL封装/规格：TSMT-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 1mA 漏源导通电阻：92mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道,30V,2.5A,92mΩ@4.5V
手机版：RTR025N03TL
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