商品型号： CS16N06AE-G
制造厂商： 华润华晶
封装规格： SOP-8_150mil
商品毛重： 0.18g
商品编号： CY717918
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 16A | |
| 类型 | N沟道 |
CS16N06AE-G由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS16N06AE-G价格参考￥9.262800。华润华晶CS16N06AE-G封装/规格：SOP-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道
手机版：CS16N06AE-G
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