商品型号： VBJ2102M
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SOT-223
商品毛重： 0.34g
商品编号： CY469608
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 2A,6V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.5W 类型：P沟道 P沟道,-200V,-3A,200mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A | |
| 类型 | P沟道 |
VBJ2102M由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBJ2102M价格参考￥6.287100。VBsemi(台湾微碧)VBJ2102M封装/规格：SOT-223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 2A,6V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.5W 类型：P沟道 P沟道,-200V,-3A,200mΩ@10V
手机版：VBJ2102M
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