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ZXMHC6A07N8TC

商品型号： ZXMHC6A07N8TC

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SO-8

商品毛重： 0.11g

商品编号： CY397195

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.39A,1.28A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1.8A,10V;400mΩ @ 0.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：870mW 类型：双N沟道和双P沟道(H桥)

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.39A,1.28A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1.8A,10V;400mΩ @ 0.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：870mW 类型：双N沟道和双P沟道(H桥)

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ZXMHC6A07N8TC由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZXMHC6A07N8TC价格参考￥4.018600。DIODES(美台)ZXMHC6A07N8TC封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.39A,1.28A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1.8A,10V;400mΩ @ 0.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：870mW 类型：双N沟道和双P沟道(H桥)

手机版：ZXMHC6A07N8TC