商品型号： RZE002P02TL
制造厂商： ROHM(罗姆)
封装规格： EMT3
商品毛重： 0.02g
商品编号： CY569360
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 100uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 200mA | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW | |
| 类型 | P沟道 |
RZE002P02TL由ROHM(罗姆)设计生产,在芯云购商城现货销售,RZE002P02TL价格参考￥7.080700。ROHM(罗姆)RZE002P02TL封装/规格：EMT3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 100uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：P沟道
手机版：RZE002P02TL
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