商品型号: UTT24N06G-TN3-R
制造厂商: 3PEAK
封装规格: TO-252
商品毛重: 0.05g
商品编号: CY617235
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 11A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 60V 24A
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品牌: ST(意法半导体)
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 |
UTT24N06G-TN3-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,UTT24N06G-TN3-R价格参考¥6.245700。3PEAKUTT24N06G-TN3-R封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 11A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 60V 24A
手机版:UTT24N06G-TN3-R
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