商品型号： DMN65D8LQ-7
制造厂商： DIODES(美台)
封装规格： SOT-23
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY174174
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：310mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 115mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：370mW 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
DMN65D8LQ-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN65D8LQ-7价格参考￥4.152600。DIODES(美台)DMN65D8LQ-7封装/规格：SOT-23,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：310mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 115mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：370mW 类型：N沟道
手机版：DMN65D8LQ-7
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