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VBK1270

商品型号: VBK1270

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SC-70-3

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY604288

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 1.5A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.8W 类型:N沟道 N沟道,20V,4A,45mΩ@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 1.5A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.8W 类型:N沟道 N沟道,20V,4A,45mΩ@10V

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VBK1270由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBK1270价格参考¥7.266700。VBsemi(台湾微碧)VBK1270封装/规格:SC-70-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 1.5A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.8W 类型:N沟道 N沟道,20V,4A,45mΩ@10V

手机版:VBK1270