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KI005PDFN

商品型号: KI005PDFN

制造厂商: KEXIN(科信)

封装规格: DFN2x2-6L

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY543697

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) -12V
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道

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KI005PDFN由KEXIN(科信)设计生产,在芯云购商城现货销售,KI005PDFN价格参考¥4.103800。KEXIN(科信)KI005PDFN封装/规格:DFN2x2-6L,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道

手机版:KI005PDFN