商品型号: NTLJS2103PTBG
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: WDFN-6
商品毛重: 0.04g
商品编号: CY167455
数据手册:
在线预览
商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:P沟道 P沟道 -12V -7.7A
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货5548(3000起订)
数 量: X ¥3.3873
总 价: ¥3.39
包 装:「圆盘 / 3000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
¥3.3873
10+
¥3.3244
30+
¥3.2615
100+
¥3.1986
500+
¥3.1324
1000+
¥3.0662
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | -12V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3.5A | |
类型 | P沟道 |
NTLJS2103PTBG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTLJS2103PTBG价格参考¥3.387300。ON(安森美)NTLJS2103PTBG封装/规格:WDFN-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:P沟道 P沟道 -12V -7.7A
手机版:NTLJS2103PTBG
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件