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NTLJS2103PTBG

商品型号： NTLJS2103PTBG

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： WDFN-6

商品毛重： 0.04g

商品编号： CY167455

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：700mW 类型：P沟道 P沟道 -12V -7.7A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	-12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	3.5A
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：700mW 类型：P沟道 P沟道 -12V -7.7A

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NTLJS2103PTBG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTLJS2103PTBG价格参考￥3.387300。ON(安森美)NTLJS2103PTBG封装/规格：WDFN-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：700mW 类型：P沟道 P沟道 -12V -7.7A

手机版：NTLJS2103PTBG