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NTLJS2103PTBG

商品型号: NTLJS2103PTBG

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: WDFN-6

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY167455

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:P沟道 P沟道 -12V -7.7A

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) -12V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3.5A
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:P沟道 P沟道 -12V -7.7A

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NTLJS2103PTBG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTLJS2103PTBG价格参考¥3.387300。ON(安森美)NTLJS2103PTBG封装/规格:WDFN-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:P沟道 P沟道 -12V -7.7A

手机版:NTLJS2103PTBG