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KTK5132S-RTK/H
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KTK5132S-RTK/H

商品型号: KTK5132S-RTK/H

制造厂商: KEC

封装规格: SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY710380

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:7Ω @ 10mA,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 N沟道,30V,100mA,7Ω@2.5V

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥9.4806

总   价: ¥94.81

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 100mA
最大功率耗散(Ta=25°C) 200mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:7Ω @ 10mA,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 N沟道,30V,100mA,7Ω@2.5V

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KTK5132S-RTK/H由KEC设计生产,在芯云购商城现货销售,KTK5132S-RTK/H价格参考¥9.480600。KECKTK5132S-RTK/H封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:7Ω @ 10mA,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 N沟道,30V,100mA,7Ω@2.5V

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