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MTM78E2B0LBF

商品型号： MTM78E2B0LBF

制造厂商： PANASONIC(松下)

封装规格： WSMini8-F1-B

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY341523

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.3V @ 1mA 漏源导通电阻：125mΩ @ 2A,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：双N沟道(共漏) 双N沟道 20V 4A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	4A
最大功率耗散（Ta=25°C）	150mW
类型	双N沟道(共漏)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.3V @ 1mA 漏源导通电阻：125mΩ @ 2A,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：双N沟道(共漏) 双N沟道 20V 4A

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MTM78E2B0LBF由PANASONIC(松下)设计生产,在芯云购商城现货销售,MTM78E2B0LBF价格参考￥4.507200。PANASONIC(松下)MTM78E2B0LBF封装/规格：WSMini8-F1-B,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.3V @ 1mA 漏源导通电阻：125mΩ @ 2A,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：双N沟道(共漏) 双N沟道 20V 4A

手机版：MTM78E2B0LBF