芯云购商城
搜索关键词不能为空
搜索关键词不能为空
收缩

QQ在线咨询

电话咨询

  • 0755-82579613

Skype 咨询

  • 3003361628@qq.com
PMGD290XN,115
  • PMGD290XN,115
  • PMGD290XN,115
  • PMGD290XN,115
  • PMGD290XN,115
  • PMGD290XN,115
收藏商品 技术手册

PMGD290XN,115

商品型号: PMGD290XN,115

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: SOT363

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY638363

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):860mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:350mΩ @ 200mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):410mW 类型:双N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

库   存:现货4375(3000起订)

数   量: X ¥1.3984

总   价: ¥1.40

包   装:「圆盘 / 3000」

近期成交:0单

在线咨询

成功加入购物车

  • 数量

    价格

  • 1+

    ¥1.3984

  • 10+

    ¥1.3057

  • 30+

    ¥1.213

  • 100+

    ¥1.1175

  • 500+

    ¥1.022

  • 1000+

    ¥1.0201

  • 规格参数
  • PDF数据手册
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
最大功率耗散(Ta=25°C) 410mW
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):860mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:350mΩ @ 200mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):410mW 类型:双N沟道

芯云购电子元器件商城提供PMGD290XN,115引脚图查看,PMGD290XN,115中文资料pdf下载,PMGD290XN,115使用说明书查看,PMGD290XN,115参数pdf下载, PMGD290XN,115工作原理,PMGD290XN,115驱动电路图,PMGD290XN,115数据手册,PMGD290XN,115如何测量, PMGD290XN,115接线图查看

PMGD290XN,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMGD290XN,115价格参考¥1.398400。Nexperia(安世)PMGD290XN,115封装/规格:SOT363,连续漏极电流(Id)(25°C 时):860mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:350mΩ @ 200mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):410mW 类型:双N沟道

手机版:PMGD290XN,115