商品型号： EMB09P03V
制造厂商： 3PEAK
封装规格： EDFN3*3
商品毛重： 0.10g
商品编号： CY208731
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | P沟道 |
EMB09P03V由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,EMB09P03V价格参考￥9.252300。3PEAKEMB09P03V封装/规格：EDFN3*3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
手机版：EMB09P03V
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