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NTLJF3117PT1G

商品型号: NTLJF3117PT1G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: WDFN-6

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY735499

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):710mW 类型:P沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):710mW 类型:P沟道

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NTLJF3117PT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTLJF3117PT1G价格参考¥2.432400。ON(安森美)NTLJF3117PT1G封装/规格:WDFN-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):710mW 类型:P沟道

手机版:NTLJF3117PT1G