收藏商品技术手册

NTLJF3117PT1G

商品型号： NTLJF3117PT1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： WDFN-6

商品毛重： 0.04g

商品编号： CY735499

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：710mW 类型：P沟道

交货地:国内货期(工作日):立即发货

库存:现货6747(3000起订)

数量: X ￥2.4324

总价: ￥2.43

包装:「圆盘 / 3000」

近期成交:0单

在线咨询

成功加入购物车

数量

价格
1+

￥2.4324
10+

￥2.3775
30+

￥2.3195
100+

￥2.2409
500+

￥2.1606
1000+

￥2.0803

规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：710mW 类型：P沟道

热门型号推荐
最新商品推荐
知名品牌推荐

芯云购电子元器件商城提供NTLJF3117PT1G引脚图查看，NTLJF3117PT1G中文资料pdf下载，NTLJF3117PT1G使用说明书查看，NTLJF3117PT1G参数pdf下载, NTLJF3117PT1G工作原理，NTLJF3117PT1G驱动电路图，NTLJF3117PT1G数据手册，NTLJF3117PT1G如何测量, NTLJF3117PT1G接线图查看

NTLJF3117PT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTLJF3117PT1G价格参考￥2.432400。ON(安森美)NTLJF3117PT1G封装/规格：WDFN-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：710mW 类型：P沟道

手机版：NTLJF3117PT1G