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NVMFS5C670NLWFAFT1G

商品型号: NVMFS5C670NLWFAFT1G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: DFN-5

商品毛重: 0.25g

商品编号: CY559372

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):71A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 53uA 漏源导通电阻:6.1mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):61W(Tc) 类型:N沟道 N 沟道,60V,71A,6.1mΩ@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):71A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 53uA 漏源导通电阻:6.1mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):61W(Tc) 类型:N沟道 N 沟道,60V,71A,6.1mΩ@10V

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NVMFS5C670NLWFAFT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NVMFS5C670NLWFAFT1G价格参考¥7.500000。ON(安森美)NVMFS5C670NLWFAFT1G封装/规格:DFN-5,连续漏极电流(Id)(25°C 时):71A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 53uA 漏源导通电阻:6.1mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):61W(Tc) 类型:N沟道 N 沟道,60V,71A,6.1mΩ@10V

手机版:NVMFS5C670NLWFAFT1G