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MTB340N11N6

商品型号: MTB340N11N6

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOT-26

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY508081

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):110V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:430mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Tc) 类型:N沟道 110V/1.9A@TC=25℃/ N沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):110V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:430mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Tc) 类型:N沟道 110V/1.9A@TC=25℃/ N沟道

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MTB340N11N6由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MTB340N11N6价格参考¥9.288400。3PEAKMTB340N11N6封装/规格:SOT-26,连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):110V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:430mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Tc) 类型:N沟道 110V/1.9A@TC=25℃/ N沟道

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