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FHD50N06D

商品型号: FHD50N06D

制造厂商: FeiHong(飞虹)

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.36g

商品编号: CY135092

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.2V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W(Tc) 类型:N沟道

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总   价: ¥1.49

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.2V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W(Tc) 类型:N沟道

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FHD50N06D由FeiHong(飞虹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FHD50N06D价格参考¥1.488300。FeiHong(飞虹)FHD50N06D封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.2V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W(Tc) 类型:N沟道

手机版:FHD50N06D