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MTC3587DL8

商品型号: MTC3587DL8

制造厂商: 3PEAK

封装规格: DFNWB-8L_3x2mm

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY737724

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.9A,3.9A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.4A,4.5V;80mΩ @ 3.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道和P沟道 20V,-20V/4.9A,-3.9A/N+P

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
类型 N沟道和P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.9A,3.9A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.4A,4.5V;80mΩ @ 3.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道和P沟道 20V,-20V/4.9A,-3.9A/N+P

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MTC3587DL8由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MTC3587DL8价格参考¥7.035900。3PEAKMTC3587DL8封装/规格:DFNWB-8L_3x2mm,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.9A,3.9A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.4A,4.5V;80mΩ @ 3.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道和P沟道 20V,-20V/4.9A,-3.9A/N+P

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