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GT1003B

商品型号: GT1003B

制造厂商: GOFORD(谷峰)

封装规格: SOT-23

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY782516

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):17W 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥62.99

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 7A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):17W 类型:N沟道

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GT1003B由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,GT1003B价格参考¥6.298800。GOFORD(谷峰)GT1003B封装/规格:SOT-23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):17W 类型:N沟道

手机版:GT1003B