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MTDP2004S6R

商品型号: MTDP2004S6R

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOT-363R

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY838169

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 430mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双P沟道 -20V/-0.5A /Dual P

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总   价: ¥7.51

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 500mA
最大功率耗散(Ta=25°C) 300mW
连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 430mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双P沟道 -20V/-0.5A /Dual P

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MTDP2004S6R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MTDP2004S6R价格参考¥7.509800。3PEAKMTDP2004S6R封装/规格:SOT-363R,连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 430mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双P沟道 -20V/-0.5A /Dual P

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