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DMN1006UCA6-7-01

商品型号： DMN1006UCA6-7-01

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： X3-DSN2718-6

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY821268

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1.3V @ 1mA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：双N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	-12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	-
漏源导通电阻	-
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1.3V @ 1mA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：双N沟道

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DMN1006UCA6-7-01由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN1006UCA6-7-01价格参考￥9.177200。DIODES(美台)DMN1006UCA6-7-01封装/规格：X3-DSN2718-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1.3V @ 1mA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：双N沟道

手机版：DMN1006UCA6-7-01