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DMN2011UFX-7

商品型号: DMN2011UFX-7

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: V-DFN2050-4

商品毛重: 0.06g

商品编号: CY322750

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:双N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥8.50

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):12.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:双N沟道

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DMN2011UFX-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN2011UFX-7价格参考¥8.503600。DIODES(美台)DMN2011UFX-7封装/规格:V-DFN2050-4,连续漏极电流(Id)(25°C 时):12.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:双N沟道

手机版:DMN2011UFX-7