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KI2310DS

商品型号: KI2310DS

制造厂商: KEXIN(科信)

封装规格: SOT23-3

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY531858

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥41.42

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  • PDF数据手册
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 6.5A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:N沟道

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KI2310DS由KEXIN(科信)设计生产,在芯云购商城现货销售,KI2310DS价格参考¥4.142200。KEXIN(科信)KI2310DS封装/规格:SOT23-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:N沟道

手机版:KI2310DS