商品型号: JCS4N65RC-DPAK
制造厂商: 吉林华微
封装规格: DPAK
商品毛重: 0.44g
商品编号: CY429739
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):122W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 650V 4A
数量
价格
1+
¥5.354
10+
¥5.2975
30+
¥5.238
100+
¥5.1785
500+
¥5.119
1000+
¥5.0595
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
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封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 |
JCS4N65RC-DPAK由吉林华微设计生产,在芯云购商城现货销售,JCS4N65RC-DPAK价格参考¥5.354000。吉林华微JCS4N65RC-DPAK封装/规格:DPAK,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):122W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 650V 4A
手机版:JCS4N65RC-DPAK
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