商品型号： VBI2658
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SOT-89-3
商品毛重： 0.15g
商品编号： CY229374
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：10.4W 类型：P沟道 P沟道,-60V,-5A,58mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.5A | |
| 类型 | P沟道 |
VBI2658由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBI2658价格参考￥1.416000。VBsemi(台湾微碧)VBI2658封装/规格：SOT-89-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：10.4W 类型：P沟道 P沟道,-60V,-5A,58mΩ@10V
手机版：VBI2658
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