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NTHD4508NT1G

商品型号： NTHD4508NT1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： SMD-8

商品毛重： 0.04g

商品编号： CY306214

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：75mΩ @ 3.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.13W 类型：双N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	3A
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：75mΩ @ 3.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.13W 类型：双N沟道

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NTHD4508NT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTHD4508NT1G价格参考￥3.565200。ON(安森美)NTHD4508NT1G封装/规格：SMD-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：75mΩ @ 3.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.13W 类型：双N沟道

手机版：NTHD4508NT1G