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DMN1003UCA6-7

商品型号： DMN1003UCA6-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： X3-DSN3518-6

商品毛重： 0.04g

商品编号： CY142732

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23.6A 漏源电压（Vdss）：- 栅源极阈值电压：1.3V @ 1mA 漏源导通电阻：3.2mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.67W 类型：双N沟道(共漏)

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	-
类型	双N沟道(共漏)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23.6A 漏源电压（Vdss）：- 栅源极阈值电压：1.3V @ 1mA 漏源导通电阻：3.2mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.67W 类型：双N沟道(共漏)

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DMN1003UCA6-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN1003UCA6-7价格参考￥7.004400。DIODES(美台)DMN1003UCA6-7封装/规格：X3-DSN3518-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23.6A 漏源电压（Vdss）：- 栅源极阈值电压：1.3V @ 1mA 漏源导通电阻：3.2mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.67W 类型：双N沟道(共漏)

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