商品型号： HSS2012
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： SOT-23L
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY164383
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 类型 | N沟道 |
HSS2012由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSS2012价格参考￥5.093000。HUASHUO(华朔)HSS2012封装/规格：SOT-23L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道
手机版：HSS2012
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