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WSD3042DN56

商品型号: WSD3042DN56

制造厂商: WINSOK微硕

封装规格: DFN5x6-8

商品毛重: 0.10g

商品编号: CY043478

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道 N沟道.30V.40A.10.8mΩ

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道 N沟道.30V.40A.10.8mΩ

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WSD3042DN56由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD3042DN56价格参考¥8.176600。WINSOK微硕WSD3042DN56封装/规格:DFN5x6-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道 N沟道.30V.40A.10.8mΩ

手机版:WSD3042DN56