商品型号： CSD17506Q5A
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： VSONP-8
商品毛重： 0.17g
商品编号： CY816028
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道 CSD17506Q5A 30V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，Vgs 为 20V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
CSD17506Q5A由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD17506Q5A价格参考￥9.261000。TI(德州仪器)CSD17506Q5A封装/规格：VSONP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道 CSD17506Q5A 30V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，Vgs 为 20V
手机版：CSD17506Q5A
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