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PJE8402

商品型号: PJE8402_R1_00001

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOT-523

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY774467

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):700mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 700mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥3.4263

总   价: ¥17.13

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 700mA
最大功率耗散(Ta=25°C) 300mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):700mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 700mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道

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PJE8402_R1_00001由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,PJE8402_R1_00001价格参考¥3.426300。3PEAKPJE8402_R1_00001封装/规格:SOT-523,连续漏极电流(Id)(25°C 时):700mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 700mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道

手机版:PJE8402_R1_00001