商品型号： FDMS4435BZ
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： PQFN-8
商品毛重： 0.22g
商品编号： CY996142
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | P沟道 |
FDMS4435BZ由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDMS4435BZ价格参考￥1.444200。ON(安森美)FDMS4435BZ封装/规格：PQFN-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
手机版：FDMS4435BZ
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