商品型号： FQD20N06TM
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.44g
商品编号： CY745103
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16.8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：63mΩ @ 8.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,60V,16.8A,63mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | N沟道 |
FQD20N06TM由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQD20N06TM价格参考￥7.509000。ON(安森美)FQD20N06TM封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16.8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：63mΩ @ 8.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,60V,16.8A,63mΩ@10V
手机版：FQD20N06TM
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