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2N7002DWQ-7-F

商品型号: 2N7002DWQ-7-F

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: SOT-363

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY587210

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):310mW 类型:双N沟道

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总   价: ¥45.06

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):310mW 类型:双N沟道

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2N7002DWQ-7-F由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,2N7002DWQ-7-F价格参考¥9.012600。DIODES(美台)2N7002DWQ-7-F封装/规格:SOT-363,连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):310mW 类型:双N沟道

手机版:2N7002DWQ-7-F