商品型号： HY3403D
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.49g
商品编号： CY669264
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：N沟道 N沟道2.4mΩ@10V TO-252 30V
数量
价格
1+
￥3.366
10+
￥3.3066
30+
￥3.2472
100+
￥3.1854
500+
￥3.1236
1000+
￥3.0618
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A | |
| 类型 | N沟道 |
HY3403D由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY3403D价格参考￥3.366000。HUAYI(华羿微)HY3403D封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：N沟道 N沟道2.4mΩ@10V TO-252 30V
手机版：HY3403D
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