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UT2305G-AE2-R

商品型号： UT2305G-AE2-R

制造厂商： 3PEAK

封装规格： SOT-23-3

商品毛重： 0.04g

商品编号： CY189698

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：P沟道

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UT2305G-AE2-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,UT2305G-AE2-R价格参考￥3.014900。3PEAKUT2305G-AE2-R封装/规格：SOT-23-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：P沟道

手机版：UT2305G-AE2-R