商品型号： CEG8205A
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： TSSOP-8
商品毛重： 0.17g
商品编号： CY122277
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 N沟道,20V,6A,25mΩ@4.5V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A | |
| 类型 | N沟道 |
CEG8205A由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEG8205A价格参考￥9.083700。CET(华瑞)CEG8205A封装/规格：TSSOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 N沟道,20V,6A,25mΩ@4.5V
手机版：CEG8205A
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