商品型号： FDT86113LZ
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： SOT-223-4
商品毛重： 0.22g
商品编号： CY259393
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
FDT86113LZ由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDT86113LZ价格参考￥3.173400。ON(安森美)FDT86113LZ封装/规格：SOT-223-4,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：N沟道
手机版：FDT86113LZ
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