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PJT7800

商品型号： PJT7800_R1_00001

制造厂商： 3PEAK

封装规格： SOT-363

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY455720

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：双N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	1A
最大功率耗散（Ta=25°C）	350mW
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：双N沟道

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PJT7800_R1_00001由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,PJT7800_R1_00001价格参考￥9.343000。3PEAKPJT7800_R1_00001封装/规格：SOT-363,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：双N沟道

手机版：PJT7800_R1_00001