商品型号： ME4565AD4
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-252-5
商品毛重： 0.48g
商品编号： CY769400
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21.2A(Tc),18.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 7A,10V;45mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.6W,2.7W 类型：N沟道和P沟道 P+N双沟道,40V/22.1A,-40V/-18.6A
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 类型 | N沟道和P沟道 |
ME4565AD4由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,ME4565AD4价格参考￥7.372200。3PEAKME4565AD4封装/规格：TO-252-5,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21.2A(Tc),18.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 7A,10V;45mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.6W,2.7W 类型：N沟道和P沟道 P+N双沟道,40V/22.1A,-40V/-18.6A
手机版：ME4565AD4
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