商品型号: IRFH7932TRPBF
制造厂商: Infineon(英飞凌)
封装规格: PQFN 5x6
商品毛重: 0.19g
商品编号: CY431112
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.35V @ 100uA 漏源导通电阻:3.3mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.4W 类型:N沟道 N沟道 30V 24A
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 24A | |
类型 | N沟道 |
IRFH7932TRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFH7932TRPBF价格参考¥4.504100。Infineon(英飞凌)IRFH7932TRPBF封装/规格:PQFN 5x6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.35V @ 100uA 漏源导通电阻:3.3mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.4W 类型:N沟道 N沟道 30V 24A
手机版:IRFH7932TRPBF
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