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IRFH7932TRPBF

商品型号: IRFH7932TRPBF

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: PQFN 5x6

商品毛重: 0.19g

商品编号: CY431112

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.35V @ 100uA 漏源导通电阻:3.3mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.4W 类型:N沟道 N沟道 30V 24A

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总   价: ¥4.50

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 24A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.35V @ 100uA 漏源导通电阻:3.3mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.4W 类型:N沟道 N沟道 30V 24A

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IRFH7932TRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFH7932TRPBF价格参考¥4.504100。Infineon(英飞凌)IRFH7932TRPBF封装/规格:PQFN 5x6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.35V @ 100uA 漏源导通电阻:3.3mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.4W 类型:N沟道 N沟道 30V 24A

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