商品型号： FMD5N50E5
制造厂商： Fortior Tech(峰岹)
封装规格： TO-252
商品毛重： 1.50g
商品编号： CY100810
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5A | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 75W | |
| 类型 | N沟道 |
FMD5N50E5由Fortior Tech(峰岹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FMD5N50E5价格参考￥1.137000。Fortior Tech(峰岹)FMD5N50E5封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W 类型：N沟道
手机版：FMD5N50E5
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