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IRFH5302DTRPBF

商品型号： IRFH5302DTRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PQFN 5x6

商品毛重： 0.19g

商品编号： CY815387

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.35V @ 100uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.6W 类型：N沟道 N沟道 30V 29A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.35V @ 100uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.6W 类型：N沟道 N沟道 30V 29A

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IRFH5302DTRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFH5302DTRPBF价格参考￥7.223200。Infineon(英飞凌)IRFH5302DTRPBF封装/规格：PQFN 5x6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.35V @ 100uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.6W 类型：N沟道 N沟道 30V 29A

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