商品型号： LRC6N33YT1G
制造厂商： LRC(乐山无线电)
封装规格： DFN 2020-6D
商品毛重： 0.02g
商品编号： CY138629
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1.5V @ 1mA 漏源导通电阻：3.5Ω @ 200mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道 PNP+N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 200mA | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | N沟道 |
LRC6N33YT1G由LRC(乐山无线电)设计生产,在芯云购商城现货销售,LRC6N33YT1G价格参考￥3.349200。LRC(乐山无线电)LRC6N33YT1G封装/规格：DFN 2020-6D,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1.5V @ 1mA 漏源导通电阻：3.5Ω @ 200mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道 PNP+N沟道
手机版：LRC6N33YT1G
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