




商品型号: DMN4800LSSL-13
制造厂商: DIODES(美台)
封装规格: SO-8
商品毛重: 0.27g
商品编号: CY334202
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.6V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 8A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.46W 类型:N沟道
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| 属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 8A | |
| 类型 | N沟道 |
DMN4800LSSL-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN4800LSSL-13价格参考¥7.430400。DIODES(美台)DMN4800LSSL-13封装/规格:SO-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.6V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 8A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.46W 类型:N沟道
手机版:DMN4800LSSL-13
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