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PSMN1R8-40YLC,115
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PSMN1R8-40YLC,115

商品型号: PSMN1R8-40YLC,115

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: LFPAK

商品毛重: 0.15g

商品编号: CY385721

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:1.95V @ 1mA 漏源导通电阻:1.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):272W 类型:N沟道 N沟道,40V,100A,1.8mΩ@4.5V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 100A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:1.95V @ 1mA 漏源导通电阻:1.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):272W 类型:N沟道 N沟道,40V,100A,1.8mΩ@4.5V

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PSMN1R8-40YLC,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PSMN1R8-40YLC,115价格参考¥9.476700。Nexperia(安世)PSMN1R8-40YLC,115封装/规格:LFPAK,连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:1.95V @ 1mA 漏源导通电阻:1.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):272W 类型:N沟道 N沟道,40V,100A,1.8mΩ@4.5V

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